碳化硅(SiC)作為第三代化合物半導體材料,具備禁帶寬度大、熱導率高、臨界擊穿場強高等特點,SiC器件較傳統(tǒng)硅基器件可具備耐高壓、低損耗和高頻三大優(yōu)勢,廣泛應用于新能源車、光伏/風電、工控、射頻等領域。
碳化硅(SiC)作為第三代化合物半導體材料,具備禁帶寬度大、熱導率高、臨界擊穿場強高等特點,SiC器件較傳統(tǒng)硅基器件可具備耐高壓、低損耗和高頻三大優(yōu)勢,廣泛應用于新能源車、光伏/風電、工控、射頻等領域。由于技術遷移成本高、價格高企、產(chǎn)能緊張等因素,我們認為碳化硅仍處于滲透早期,當前主要應用于中高端新能源車、充電樁及基站射頻等領域,我們預計全球SiC器件市場規(guī)模2025年將達59.79億美元,較2020年翻5倍。
在半導體應用中,SiC主要用于電力電子器件的制造。從SiC器件制造流程順序來看,SiC器件的制造成本中,SiC襯底成本占比50%,SiC外延的成本占比25%,這兩大工序是SiC。
在上游原料供應方面,高純石英砂是碳化硅的主要原料之一。因高純石英砂的制備成本高、加工工藝要求高,因此目前全球具備批量生產(chǎn)高純石英砂的廠商較少。在國外廠商方面,尤尼明、The Quartz Corporation是主要供應商;在國內廠商方面,石英股份是目前國內生產(chǎn)高純石英砂龍頭企業(yè)。
從下游需求情況來看,2018-2019年,受新能源汽車、工業(yè)電源等應用的推動,全球電力電子碳化硅的市場規(guī)模從4.3億美元增長至5.64美元,Yole預測未來市場仍將因新能源汽車產(chǎn)業(yè)的發(fā)展而增長,預計2020年的市場規(guī)模將達6億美元。
第三代半導體是國家2030規(guī)劃和“十四五”國家研發(fā)計劃確定的重要發(fā)展方向,是我國半導體產(chǎn)業(yè)彎道超車的機會,要重點扶持、協(xié)同攻關第三代半導體產(chǎn)業(yè),可以在國內重點扶植3-5家世界級龍頭企業(yè),加大整個產(chǎn)業(yè)鏈條的合作力度。
國內外各大半導體元器件企業(yè)紛紛加大了新產(chǎn)品的推廣力度,第三代半導體也開始頻頻出現(xiàn)在各地園區(qū)招商引資名單中。8月18日最新消息,碳化硅龍頭科銳(Cree)宣布2021年財年第四季度財報時透露,公司有望在2022年初建成世界上最大的碳化硅工廠,使其能夠充分利用未來幾十年的增長機遇。
2018年全球碳化硅市場只有4億美元,到2024年有望達到50億美元。碳化硅未來增量和存量市場上都會有爆發(fā)。
在SiC產(chǎn)業(yè)鏈中,龍頭企業(yè)的經(jīng)營模式以IDM模式為主,主要的市場份額被德國Infineon、美國Cree、日本羅姆以及意法半導體占據(jù);與國際巨頭相比,國內IDM廠商泰科天潤、瑞能半導體以及華潤微還有較大差距。
從全球碳化硅(SiC)襯底的企業(yè)進行情況來看,2018年,美國CREE公司占龍頭地位,市場份額達62%,其次是美國II-VI公司,市場份額約為16%??傮w來看,在碳化硅市場中,美國廠商占據(jù)主要地位。
新能源汽車是SiC功率器件的主要增長點,充電樁也是,以直流充電樁為例,據(jù)CASA測算,電動汽車充電樁中的SiC器件的平均滲透率達到10%,2018年整個直流充電樁SiC電力電子器件的市場規(guī)模約為1.3億,較2017年增加了一倍多。
SiC功率器件存在很多優(yōu)勢,未來發(fā)展空間也在逐漸增大,不過在發(fā)展SiC器件的過程中,還是存在不少問題,從近幾年的發(fā)展來看,國內外廠商還是研究機構,都在加大投入發(fā)展更有的技術和產(chǎn)品,相信未來SiC器件不管在性能還是價格等多方面都會更適應市場需求。
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