2024年IGBT產業(yè)現(xiàn)狀及未來發(fā)展趨勢分析

絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor，簡稱IGBT)是一種由雙極結型晶體管(BJT)和金屬氧化物場效應晶體管(MOSFET)組成的復合全控型電壓驅動式電力電子器件。IGBT以其高輸入阻抗、低導通壓降、驅動電路簡單和開關速度快等特性，成為電力電子行業(yè)中的核心元器件，被譽為“電力電子行業(yè)的CPU”。IGBT廣泛應用于新能源汽車、電機節(jié)能、軌道交通、智能電網、航空航天、家用電器及汽車電子等領域。

IGBT產業(yè)鏈結構

IGBT產業(yè)鏈主要由上游、中游和下游三部分構成。上游主要包括脈沖變壓器、光電耦合器等關鍵原材料的生產;中游為IGBT驅動器及模塊的生產制造;下游則是IGBT產品的應用領域，包括新能源汽車、變頻家電、新能源汽車充電樁、軌道交通等。

產業(yè)細分領域

IGBT的應用領域廣泛，可細分為新能源汽車、工業(yè)控制、新能源發(fā)電、智能電網等多個細分領域。其中，新能源汽車和工業(yè)控制是IGBT最大的兩個應用市場。新能源汽車中，IGBT是電控系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件;工業(yè)控制領域則依賴IGBT實現(xiàn)精確的電壓、電流、頻率和相位控制。

IGBT行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

據中研普華產業(yè)院研究報告《2024-2029年IGBT產業(yè)現(xiàn)狀及未來發(fā)展趨勢分析報告》分析

近年來，隨著新能源汽車和新能源發(fā)電等領域的快速發(fā)展，IGBT行業(yè)持續(xù)維持高景氣度。根據數(shù)據，2022年我國IGBT市場規(guī)模達到187.31億元，預計2023年將進一步增長。國內IGBT產量穩(wěn)步提升，自給率不斷上升，預計2023年將達到32.90%。盡管國內企業(yè)在IGBT市場中的地位逐步提升，但與國際巨頭如英飛凌、三菱等相比，仍存在較大差距。

市場規(guī)模

全球范圍內，IGBT市場規(guī)模持續(xù)增長。2022年全球IGBT市場規(guī)模為72.6億美元，其中IGBT單管市場規(guī)模從2015年的7.7億美元增長至2022年的21.7億美元，IGBT功率模塊市場規(guī)模則從2015年的24.1億美元增長至2022年的50.9億美元。中國作為全球最大的IGBT市場之一，其市場規(guī)模和增長潛力巨大。

行業(yè)政策

中國政府對IGBT行業(yè)的發(fā)展給予了高度重視和大力支持。近年來，國家陸續(xù)出臺了多項政策，如《關于鞏固回升向好趨勢加力振作工業(yè)經濟的通知》、《關于加快培育發(fā)展制造業(yè)優(yōu)質企業(yè)的指導意見》和《基礎電子元器件產業(yè)發(fā)展行動計劃(2021-2023年)》等，為IGBT行業(yè)的發(fā)展提供了明確的政策導向和廣闊的市場前景。

IGBT行業(yè)競爭格局

IGBT行業(yè)競爭激烈，國際市場上，英飛凌、三菱和安森美等企業(yè)占據主導地位。而在國內市場，雖然本土企業(yè)如斯達半導、士蘭微等取得了一定成績，但市場份額仍較低。國內企業(yè)在IGBT模塊封裝測試等環(huán)節(jié)的技術水平和產品質量上與國際巨頭存在差距，但隨著國家政策的支持和研發(fā)投入的增加，這一差距正在逐步縮小。

重點企業(yè)情況分析

斯達半導

斯達半導是國內IGBT模塊市場的領軍企業(yè)之一，其產品廣泛應用于新能源汽車和工業(yè)控制等領域。公司主營業(yè)務為IGBT為主的功率半導體芯片和模塊的設計、研發(fā)、生產，并以IGBT模塊形式對外實現(xiàn)銷售。斯達半導的IGBT模塊營收占整體營收的80%以上，顯示出其在該領域的強大競爭力。

士蘭微

士蘭微是另一家值得關注的IGBT企業(yè)，其主營業(yè)務為電子元器件的研發(fā)、生產和銷售。士蘭微的IGBT產品瞄向的消費級白電領域，具有較高的市場認可度。公司從一家純芯片設計公司發(fā)展成為以IDM模式為主要發(fā)展模式的綜合型半導體產品公司，顯示出其強大的技術實力和創(chuàng)新能力。

IGBT行業(yè)發(fā)展趨勢

未來，IGBT行業(yè)將呈現(xiàn)以下發(fā)展趨勢：

國產化加速：隨著國家政策的支持和國內企業(yè)技術水平的提升，IGBT國產化率將進一步提高。

技術創(chuàng)新：技術創(chuàng)新將成為推動IGBT行業(yè)發(fā)展的關鍵因素，包括芯片設計、晶圓制造、模塊封裝等環(huán)節(jié)的技術突破。

應用領域拓展：隨著新能源汽車、智能電網等新興領域的快速發(fā)展，IGBT的應用領域將進一步拓展。

目前存在問題

盡管IGBT行業(yè)發(fā)展迅速，但仍存在一些問題：

技術差距：國內企業(yè)在IGBT芯片設計和制造等方面與國際巨頭相比仍存在較大差距。

產品質量：部分國內企業(yè)的IGBT產品質量尚不穩(wěn)定，需進一步提升。

產業(yè)結構：IGBT產業(yè)鏈各環(huán)節(jié)發(fā)展不均衡，部分環(huán)節(jié)存在薄弱環(huán)節(jié)。

IGBT行業(yè)作為電力電子行業(yè)的核心領域，具有廣闊的發(fā)展前景和巨大的市場潛力。

欲獲悉更多關于IGBT行業(yè)重點數(shù)據及未來發(fā)展前景與方向規(guī)劃詳情，可點擊查看中研普華產業(yè)院研究報告《2024-2029年IGBT產業(yè)現(xiàn)狀及未來發(fā)展趨勢分析報告》。