離子注入行業(yè)發(fā)展前景 離子注入行業(yè)發(fā)展研究及投資價(jià)值咨詢

• 吳亞楠 2023年3月9日 來(lái)源：互聯(lián)網(wǎng) 1289 84
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二十大報(bào)告提出，注重高質(zhì)量發(fā)展目標(biāo)，解決重要領(lǐng)域“卡脖子”問(wèn)題至關(guān)重要。而美國(guó)對(duì)半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)鏈限制的持續(xù)加碼，也促使半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)國(guó)產(chǎn)替代比率的大幅提升。

在工藝流程中，光刻的下一道工序就是刻蝕或離子注入。離子注入的優(yōu)點(diǎn)是能精確控制雜質(zhì)的總劑量、深度分布和面均勻性，而且是低溫工藝(可防止原來(lái)雜質(zhì)的再擴(kuò)散等)，同時(shí)可實(shí)現(xiàn)自對(duì)準(zhǔn)技術(shù)(以減小電容效應(yīng))。

離子注入的方法就是在真空中、低溫下，把雜質(zhì)離子加速(對(duì)Si，電壓≥105 V)，獲得很大動(dòng)能的雜質(zhì)離子即可以直接進(jìn)入半導(dǎo)體中;同時(shí)也會(huì)在半導(dǎo)體中產(chǎn)生一些晶格缺陷，因此在離子注入后需用低溫進(jìn)行退火或激光退火來(lái)消除這些缺陷。

根據(jù)中研普華研究院撰寫(xiě)的《2022版離子注入設(shè)備項(xiàng)目可行性專項(xiàng)研究及投資價(jià)值咨詢報(bào)告》顯示：

離子注入行業(yè)發(fā)展研究及投資價(jià)值咨詢

離子注入的雜質(zhì)濃度分布一般呈現(xiàn)為高斯分布，并且濃度最高處不是在表面，而是在表面以內(nèi)的一定深度處。離子注入技術(shù)是一個(gè)方興未艾的新興產(chǎn)業(yè)，硬件設(shè)備的處理能力和效率有待進(jìn)一步提高，在軟件(離子注入材料表面改性技術(shù))方面，也有待進(jìn)一步深化和細(xì)化，其應(yīng)用范圍也有待不斷擴(kuò)大。

全球離子注入機(jī)的領(lǐng)先企業(yè)主要分布在中國(guó)、美國(guó)和日本，其中，中國(guó)大陸擁有凱世通和中科信兩家離子注入機(jī)行業(yè)的龍頭企業(yè)，凱世通在光伏離子注入機(jī)方面遙遙領(lǐng)先。而美國(guó)則擁有近乎壟斷IC離子注入機(jī)市場(chǎng)的應(yīng)用材料，以及漢辰科技、Axcelis、intevac等企業(yè)。日本也擁有日新、日本真空、住友重工等離子注入機(jī)知名廠商。

近年來(lái)，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展迅速。今年二十大報(bào)告提出，注重高質(zhì)量發(fā)展目標(biāo)，解決重要領(lǐng)域“卡脖子”問(wèn)題至關(guān)重要。而美國(guó)對(duì)半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)鏈限制的持續(xù)加碼，也促使半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)國(guó)產(chǎn)替代比率的大幅提升。

IC工藝對(duì)應(yīng)流程主要分為硅片制造、前道與后道芯片制造環(huán)節(jié)。其中，前道芯片制造是被卡脖子最嚴(yán)重的環(huán)節(jié)，設(shè)備種類最多、復(fù)雜度最高，其流程主要包含薄膜沉積、光刻、刻蝕、離子注入、氧化擴(kuò)散、CMP以及金屬化。據(jù)統(tǒng)計(jì)，2022年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模高達(dá)1085億美金，同比增長(zhǎng)5.9%。其中，中國(guó)大陸地區(qū)為全球最大的設(shè)備市場(chǎng)，2022年市場(chǎng)規(guī)模已達(dá)到320億美元。放眼國(guó)內(nèi)主制程設(shè)備、零部件以及量測(cè)設(shè)備公司，高鵠資本通過(guò)深入的產(chǎn)業(yè)鏈分析，提出創(chuàng)業(yè)公司核心壁壘與關(guān)鍵指標(biāo)的判斷標(biāo)準(zhǔn)，希望與行業(yè)內(nèi)的投資人、企業(yè)家們共同交流、探討。

在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中，上游為IC設(shè)計(jì)、半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體設(shè)備;中游為半導(dǎo)體制造、半導(dǎo)體封測(cè);下游是各種應(yīng)用領(lǐng)域。而半導(dǎo)體設(shè)備是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)鍵支撐，其技術(shù)的實(shí)施依賴于各種精密零部件，精密零部件的材料與加工技術(shù)是集成電路核心技術(shù)的載體，是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的基石，幾乎貫穿了半導(dǎo)體生產(chǎn)的整個(gè)流程。

隨著行業(yè)對(duì)制造設(shè)備精密零部件的性能要求越來(lái)越高，許多加工技術(shù)的精度目前已經(jīng)趨于物理極限，泛半導(dǎo)體領(lǐng)域的應(yīng)用是目前先進(jìn)陶瓷頂尖技術(shù)領(lǐng)域之一。

離子注入行業(yè)發(fā)展前景

離子注入技術(shù)又是近30年來(lái)在國(guó)際上蓬勃發(fā)展和廣泛應(yīng)用的一種材料表面改性技術(shù)。其基本原理是：用能量為100keV量級(jí)的離子束入射到材料中去，離子束與材料中的原子或分子將發(fā)生一系列物理的和化學(xué)的相互作用，入射離子逐漸損失能量，最后停留在材料中，并引起材料表面成分、結(jié)構(gòu)和性能發(fā)生變化，從而優(yōu)化材料表面性能，或獲得某些新的優(yōu)異性能。

數(shù)據(jù)顯示，大束流離子注入機(jī)占全部離子注入機(jī)市場(chǎng)份額的61%，中低束流離子注入機(jī)及高能離子注入機(jī)分別占比20%和18%。2016年中國(guó)離子注入機(jī)的市場(chǎng)規(guī)模約為23.22億元，2020年增長(zhǎng)至44.53億元，年復(fù)合增長(zhǎng)率為17.68%，近3年復(fù)合增長(zhǎng)率為28.23%。

離子注入機(jī)進(jìn)口量增加154臺(tái)，進(jìn)口金額增長(zhǎng)48.5%至9.13億美元，出口而言雖然出口量有所上升，但產(chǎn)品主要為中低端產(chǎn)品，對(duì)比進(jìn)出口均價(jià)而言，單臺(tái)離子注入機(jī)進(jìn)口均價(jià)是出口均價(jià)的40倍以上。2021年我國(guó)從美國(guó)進(jìn)口234臺(tái)離子注入機(jī)，金額達(dá)6.11億美元，除此之外，日韓等半導(dǎo)體發(fā)展較快的發(fā)達(dá)國(guó)家也是進(jìn)口關(guān)鍵來(lái)源國(guó)，分別從日本和韓國(guó)進(jìn)口74和35臺(tái)。

離子注入行業(yè)報(bào)告對(duì)中國(guó)離子注入行業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀、競(jìng)爭(zhēng)格局及市場(chǎng)供需形勢(shì)進(jìn)行了具體分析，并從行業(yè)的政策環(huán)境、經(jīng)濟(jì)環(huán)境、社會(huì)環(huán)境及技術(shù)環(huán)境等方面分析行業(yè)面臨的機(jī)遇及挑戰(zhàn)。還重點(diǎn)分析了重點(diǎn)企業(yè)的經(jīng)營(yíng)現(xiàn)狀及發(fā)展格局，并對(duì)未來(lái)幾年行業(yè)的發(fā)展趨向進(jìn)行了專業(yè)的預(yù)判。

本報(bào)告同時(shí)揭示了離子注入市場(chǎng)潛在需求與潛在機(jī)會(huì)，為戰(zhàn)略投資者選擇恰當(dāng)?shù)耐顿Y時(shí)機(jī)和公司領(lǐng)導(dǎo)層做戰(zhàn)略規(guī)劃提供準(zhǔn)確的市場(chǎng)情報(bào)信息及科學(xué)的決策依據(jù)，同時(shí)對(duì)政府部門(mén)也具有極大的參考價(jià)值。

未來(lái)，離子注入行業(yè)發(fā)展前景如何?想了解關(guān)于更多行業(yè)專業(yè)分析，請(qǐng)點(diǎn)擊《2022版離子注入設(shè)備項(xiàng)目可行性專項(xiàng)研究及投資價(jià)值咨詢報(bào)告》。

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  2022版離子注入設(shè)備項(xiàng)目可行性專項(xiàng)研究及投資價(jià)值咨詢報(bào)告

  可行性研究是指在投資決策前，對(duì)與項(xiàng)目有關(guān)的資源、技術(shù)、市場(chǎng)、經(jīng)濟(jì)、社會(huì)等各方面進(jìn)行全面的分析、論證和評(píng)價(jià)，判斷項(xiàng)目在技術(shù)上是否可行、經(jīng)濟(jì)上是否符合，財(cái)務(wù)上是否盈利，并對(duì)多個(gè)可能的備...

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