臺積電今日首次發(fā)表N6RF制程，將先進(jìn)的N6邏輯制程所具備的功耗、效能、面積優(yōu)勢帶入到5G射頻(RF)與WiFi 6/6e解決方案。相較于前一代的16nm射頻技術(shù)，N6RF電晶體的效能提升超過16%。臺積電指出，相較于 4G，5G 智能手機需要更多的矽晶面積與功耗來獲得更高速的無
臺積電今日首次發(fā)表N6RF制程，將先進(jìn)的N6邏輯制程所具備的功耗、效能、面積優(yōu)勢帶入到5G射頻(RF)與WiFi 6/6e解決方案。相較于前一代的16nm射頻技術(shù)，N6RF電晶體的效能提升超過16%。臺積電指出，相較于 4G，5G 智能手機需要更多的矽晶面積與功耗來獲得更高速的無線數(shù)據(jù)傳輸，5G 讓芯片整合更多的功能與元件，隨著芯片尺寸日益增大，它們在智能手機內(nèi)部正與電池競相爭取有限的空間。
近年來，隨著移動終端功能的逐漸完善，手機、平板電腦等移動終端的出貨量持續(xù)上升，而射頻芯片的市場規(guī)模也隨之上升。包含手機、平板電腦、超極本等在內(nèi)的移動終端的出貨量從2012年的22.16億臺增長至2019年的23.63億臺，預(yù)計未來保持穩(wěn)定。
射頻芯片是移動智能終端產(chǎn)品的核心組成部分，追求低功耗、高性能、低成本是其技術(shù)升級的主要驅(qū)動力，也是芯片設(shè)計研發(fā)的主要方向，5G標(biāo)準(zhǔn)下現(xiàn)有的移動通信、物聯(lián)網(wǎng)通信標(biāo)準(zhǔn)將進(jìn)行統(tǒng)一，因此未來在統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)下射頻前端芯片產(chǎn)品的應(yīng)用領(lǐng)域會被進(jìn)一步放大。同時，5G下單個智能手機的射頻前端芯片價值亦將繼續(xù)上升。
為減小芯片面積、降低芯片成本，可以在射頻芯片的一個接收通道支持相鄰的多個頻段和多種模式。當(dāng)終端需要支持這一個接收通道包含的多個頻段時，需要在射頻芯片增加開關(guān)器件來適配多個頻段對應(yīng)的接收SAW濾波器或雙工器，這將導(dǎo)致射頻前端的體積和成本提升，同時開關(guān)的引入還會降低接收通道的射頻性能。因此，如何平衡射頻芯片和射頻前端在體積、成本上的矛盾，將關(guān)系到整個終端的體積和成本。
眾所周知，射頻芯片是移動智能終端產(chǎn)品的核心組成部分，追求低功耗、高性能、低成本是其技術(shù)升級的主要驅(qū)動力，也是芯片設(shè)計研發(fā)的主要方向，5G標(biāo)準(zhǔn)下現(xiàn)有的移動通信、物聯(lián)網(wǎng)通信標(biāo)準(zhǔn)將進(jìn)行統(tǒng)一，因此未來在統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)下射頻前端芯片產(chǎn)品的應(yīng)用領(lǐng)域會被進(jìn)一步放大。同時，5G下單個智能手機的射頻前端芯片價值亦將繼續(xù)上升。
在隨著全球5G世代即將來臨，持續(xù)驅(qū)動8寸與12寸晶圓廠產(chǎn)能需求，不僅部分晶圓廠擴產(chǎn)旗下8寸廠射頻SOI(RFS icon On Insulator)產(chǎn)能，以期能趕上強勁的射頻芯片市場需求，目前包括臺積電、Global Foundries、Tower Jazz及聯(lián)電等更同時擴充或?qū)?2寸廠RFSOI制程，全力迎接第一波5G射頻芯片訂單商機。
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2021-2026年版IT通訊產(chǎn)品入市調(diào)查研究報告
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