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半導(dǎo)體存儲(chǔ)供需出現(xiàn)拐點(diǎn) 將進(jìn)入跌價(jià)周期 存儲(chǔ)芯片行業(yè)分析

  • 2021年10月31日 ZhouJiaLiang來(lái)源:互聯(lián)網(wǎng) 1010 64
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第三季度為電子行業(yè)的傳統(tǒng)旺季,但今年下游市場(chǎng)需求疲弱的擔(dān)憂始終籠罩整個(gè)行業(yè),盤面上半導(dǎo)體板塊出現(xiàn)階段性回調(diào)。其中,代表性的半導(dǎo)體存儲(chǔ)供需出現(xiàn)拐點(diǎn),行業(yè)預(yù)測(cè)DRAM、NANDFlash將進(jìn)入跌價(jià)周期。

巨頭擴(kuò)產(chǎn)緩解芯片荒 存儲(chǔ)市場(chǎng)將進(jìn)入跌價(jià)周期

第三季度為電子行業(yè)的傳統(tǒng)旺季,但今年下游市場(chǎng)需求疲弱的擔(dān)憂始終籠罩整個(gè)行業(yè),盤面上半導(dǎo)體板塊出現(xiàn)階段性回調(diào)。其中,代表性的半導(dǎo)體存儲(chǔ)供需出現(xiàn)拐點(diǎn),行業(yè)預(yù)測(cè)DRAM、NANDFlash將進(jìn)入跌價(jià)周期。另一方面,面對(duì)芯片短缺,國(guó)際巨頭持續(xù)擴(kuò)產(chǎn),而國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)頭部梯隊(duì)企業(yè)在第三季度業(yè)績(jī)普遍向好,加快了產(chǎn)品迭代以及產(chǎn)業(yè)鏈的縱深聯(lián)合,并積極布局汽車等市場(chǎng)。

據(jù)中研產(chǎn)業(yè)研究院報(bào)告《2020-2025年中國(guó)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)深度調(diào)研及未來(lái)發(fā)展現(xiàn)狀趨勢(shì)預(yù)測(cè)報(bào)告》分析

存儲(chǔ)芯片行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈上游參與者為硅片、光刻膠、CMP拋光液等原材料供應(yīng)商和光刻機(jī)、PVD、CVD、刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備和檢測(cè)與測(cè)試設(shè)備等設(shè)備供應(yīng)商;行業(yè)中游為存儲(chǔ)芯片制造商,主要負(fù)責(zé)存儲(chǔ)芯片的設(shè)計(jì)、制造和銷售,芯片具有較高技術(shù)壁壘,致使存儲(chǔ)芯片開發(fā)難度高;行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈下游參與者為消費(fèi)電子、信息通信、高新科技技術(shù)和汽車電子等應(yīng)用領(lǐng)域內(nèi)的企業(yè)。

存儲(chǔ)芯片行業(yè)分析

目前,中國(guó)是全球主要的電子信息制造業(yè)的生產(chǎn)基地,也是全球規(guī)模最大、增速最快的集成電路市場(chǎng)。2020年,我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模達(dá)到8848億元,“十三五”期間年均增速近20%,為全球同期增速的4倍。

根據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織估算,2021年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值將達(dá)5272億美元,較去年同期增長(zhǎng)19.7%;存儲(chǔ)芯片產(chǎn)值增長(zhǎng)為31.7%,增幅將高居第一。世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織預(yù)期,2022年全球半導(dǎo)體產(chǎn)值可望進(jìn)一步達(dá)5734億美元,將再增長(zhǎng)8.8%;其中存儲(chǔ)芯片產(chǎn)值將增長(zhǎng)17.4%,增幅仍將高居第一。

全球存儲(chǔ)芯片行業(yè)集中度高,呈寡頭壟斷格局,由三星、SK海力士、美光主導(dǎo)。在細(xì)分領(lǐng)域,全球DRAM市場(chǎng)仍由三大巨頭主導(dǎo),全球NAND Flash半數(shù)市場(chǎng)份額由三星和鎧俠占據(jù);在NOR Flash全球市場(chǎng)中,我國(guó)企業(yè)兆易創(chuàng)新位列前三。

從中國(guó)存儲(chǔ)芯片行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局來(lái)看,市場(chǎng)主要由國(guó)外存儲(chǔ)芯片巨頭領(lǐng)導(dǎo),細(xì)分領(lǐng)域也落后于國(guó)外及臺(tái)灣廠商(如NOR Flash的旺宏/華邦等),但近年來(lái)國(guó)內(nèi)廠商奮力追趕,已在部分領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)突破,逐步縮小與國(guó)外原廠的差距。其中,兆易創(chuàng)新位列NOR Flash市場(chǎng)前三,聚辰股份在EEPROM芯片領(lǐng)域市占率全球第三,長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層3DNAND存儲(chǔ)芯片,直接跳過(guò)96層,加速趕超國(guó)外廠商先進(jìn)技術(shù)。值得注意的是,兆易創(chuàng)新集團(tuán)旗下還包含長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)(CXMT),意味著兆易創(chuàng)新集團(tuán)同時(shí)握有中國(guó)NOR Flash與DRAM的自主研發(fā)能力,扮演中國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展的重要角色。

從主要存儲(chǔ)芯片發(fā)展趨勢(shì)來(lái)看,DRAM的技術(shù)發(fā)展路徑是以微縮制程來(lái)提高存儲(chǔ)密度。制程工藝進(jìn)入20nm之后,制造難度大幅提升,內(nèi)存芯片廠商對(duì)工藝的定義從具體的線寬轉(zhuǎn)變?yōu)樵诰唧w制程范圍內(nèi)提升二或三代技術(shù)來(lái)提高存儲(chǔ)密度。

想要了解更多存儲(chǔ)芯片行業(yè)的發(fā)展前景,請(qǐng)查閱《2020-2025年中國(guó)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)深度調(diào)研及未來(lái)發(fā)展現(xiàn)狀趨勢(shì)預(yù)測(cè)報(bào)告》。

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