預估第二季NANDFlash合約價季漲13~18% 閃存卡行業(yè)發(fā)展趨勢及發(fā)展策略研究報告

• 李波 2024年3月28日 來源：中研普華集團、央視財經(jīng)、中研網(wǎng) 1370 90
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首先，鎧俠和西部數(shù)據(jù)自今年第一季起提升產(chǎn)能利用率的舉措，無疑對整個市場產(chǎn)生了積極的影響。這兩家公司在NAND Flash領域的領先地位和市場份額，使得他們的產(chǎn)能調(diào)整能夠直接影響到市場的供需關系和價格走勢。隨著產(chǎn)能利用率的提升，這兩家公司的產(chǎn)出增加，可能緩解了

首先，鎧俠和西部數(shù)據(jù)自今年第一季起提升產(chǎn)能利用率的舉措，無疑對整個市場產(chǎn)生了積極的影響。這兩家公司在NAND Flash領域的領先地位和市場份額，使得他們的產(chǎn)能調(diào)整能夠直接影響到市場的供需關系和價格走勢。隨著產(chǎn)能利用率的提升，這兩家公司的產(chǎn)出增加，可能緩解了市場供應緊張的狀況，對穩(wěn)定市場價格起到了積極作用。

然而，盡管有這兩家公司的產(chǎn)能提升，其他供應商卻大致維持了低投產(chǎn)策略。這可能是由于市場需求的不確定性，以及各家公司對市場前景的不同判斷。在需求不明朗的情況下，一些供應商可能選擇保持謹慎，避免過度投資和生產(chǎn)導致的庫存積壓和虧損。

盡管第二季NAND Flash采購量較第一季小幅下滑，但整體市場氛圍卻持續(xù)受到供應商庫存降低和減產(chǎn)效應的影響。這表明，盡管采購量有所下降，但由于供應端的調(diào)整，市場供需關系并未出現(xiàn)嚴重失衡。同時，供應商庫存的降低也進一步提升了市場的緊張氛圍，為NAND Flash合約價的上漲提供了有力支撐。

預估第二季NAND Flash合約價將強勢上漲約13~18%，這一預測反映了當前市場的供需狀況和價格趨勢。隨著產(chǎn)能利用率的提升和庫存的降低，NAND Flash的市場供應可能仍然緊張，這將推動合約價的上漲。此外，減產(chǎn)效應也可能進一步加劇市場的緊張氛圍，推動價格上漲。

總的來說，分析為我們揭示了NAND Flash市場的復雜性和動態(tài)性。在市場需求、供應商策略、庫存水平等多種因素的共同作用下，市場價格呈現(xiàn)出波動和不確定性。然而，通過深入分析和觀察市場動態(tài)，我們可以更好地理解市場的發(fā)展趨勢和價格走勢，為相關企業(yè)和投資者提供有價值的參考和建議。

根據(jù)中研普華研究院撰寫的《2023-2028年國內(nèi)閃存卡行業(yè)發(fā)展趨勢及發(fā)展策略研究報告》顯示：

閃存行業(yè)發(fā)展研究

存儲行業(yè)處在一個立體層面上循環(huán)曲線上升的周期，這個過程中隨著周期循環(huán)，存儲產(chǎn)業(yè)通過更優(yōu)的性價比賦能了更多的行業(yè)和領域，也能由此體現(xiàn)出存儲的宏觀性。

存儲行業(yè)周期性受到了新技術和新市場這兩個“雙新”驅(qū)動帶來的影響。當中，行業(yè)的低谷大概都發(fā)生在“新技術”出現(xiàn)，某一代制程開始大規(guī)模量產(chǎn)的時候;而行業(yè)周期上升的點則大都發(fā)生“新市場”的某一個應用場景在爆量增長或者應用場景激增的年份。

Gartner認為，需求疲軟和大規(guī)模供過于求將導致2023年NAND閃存收入下降38.8%至354億美元。但在未來3-6個月，NAND行業(yè)價格將觸底，供應商的狀況將有所改善。Gartner分析師預測NAND行業(yè)2024年將出現(xiàn)強勁復蘇，收入將同比增長49.6%至530億美元。

Gartner預計全球存儲市場營收2023年將下降38.8%，2024年將反彈，增長66.3%。預計2024年將是反彈之年，在存儲市場兩位數(shù)增長的推動下，所有芯片類型的收入都將增長。

作為全球領先的存儲廠商，西部數(shù)據(jù)在閃存上面也有著深刻的積累和領先的布局。

西部數(shù)據(jù)公司在數(shù)據(jù)存儲領域具有悠久歷史和豐富經(jīng)驗，在NAND閃存領域擁有創(chuàng)新技術、產(chǎn)能優(yōu)勢和縱向集成能力，并且具備強大的垂直整合能力。今年，西部數(shù)據(jù)更是宣布聯(lián)合鎧俠推出了堆疊層數(shù)能夠達到218層的第八代3D閃存技術。

從西部數(shù)據(jù)提供的數(shù)據(jù)我們也能看到，相比于上一代產(chǎn)品，這一代產(chǎn)品將位密度提高了約50%，其NAND I/O速度超過 3.2Gb/s，比上一代產(chǎn)品提高了約60%，同時寫入性能和讀取延遲方面改善了約20%。西部數(shù)據(jù)公司產(chǎn)品營銷總監(jiān)張丹女士紹說，存儲行業(yè)會一直遵循著這樣的周期發(fā)展。但展望未來，存儲行業(yè)還是要以來產(chǎn)業(yè)的人和客戶共同去實踐和成就。

在西部數(shù)據(jù)看來，存儲產(chǎn)業(yè)總是挑戰(zhàn)與機遇并存，無論是汽車領域存儲，還是企業(yè)級存儲，產(chǎn)業(yè)隨著各種新興技術不斷演變，進而激發(fā)出更加嚴苛的數(shù)據(jù)存儲需求。

西部數(shù)據(jù)NAND閃存在三季度的銷售額為15.56億美元，環(huán)比增長13%，市場份額增至16.9%;鎧俠NAND閃存的銷售額為13.36億美元，環(huán)比下滑8.6%;美光的銷售額為11.5億美元，環(huán)比下滑5.2%。

閃存卡行業(yè)的市場發(fā)展現(xiàn)狀

2022年全球閃存卡市場的規(guī)模達到了530.83億元人民幣。預計到2028年，全球閃存卡市場的規(guī)模將增長到776.62億元，顯示出穩(wěn)定的增長勢頭。在中國市場上，2022年中國閃存卡市場的規(guī)模也達到了顯著的數(shù)額。中國的閃存卡市場在全球市場中占據(jù)了重要的份額。

在存儲行業(yè)方面，2022年全球集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模為4744.02億美元，其中存儲芯片規(guī)模為1297.67億美元，約占集成電路產(chǎn)業(yè)總體規(guī)模的22.6%。存儲芯片作為全球半導體行業(yè)第一大細分領域，可分為易失性和非易失性兩類，其中非易失性存儲主要包括 NAND FLASH 和 NOR FLASH。

NAND Flash(占40%)是一種半導體單元串聯(lián)排列的閃存，其閃存單元垂直排列,可實現(xiàn)大容量化;同時無需記憶各單元的位置,寫入速度很快。由于其小型化和大容量化, NAND 閃存常常被用作各種移動設備和電子產(chǎn)品的存儲設備，是目前全球市場大容量非易失存儲的主流技術方案。

在激烈的市場競爭中，企業(yè)及投資者能否做出適時有效的市場決策是制勝的關鍵。中研網(wǎng)撰寫的閃存卡行業(yè)報告對中國閃存行業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀、競爭格局及市場供需形勢進行了具體分析，并從行業(yè)的政策環(huán)境、經(jīng)濟環(huán)境、社會環(huán)境及技術環(huán)境等方面分析行業(yè)面臨的機遇及挑戰(zhàn)。

同時揭示了市場潛在需求與潛在機會，為戰(zhàn)略投資者選擇恰當?shù)耐顿Y時機和公司領導層做戰(zhàn)略規(guī)劃提供準確的市場情報信息及科學的決策依據(jù)，同時對政府部門也具有極大的參考價值。

想了解關于更多閃存行業(yè)專業(yè)分析，可點擊查看中研普華研究院撰寫的《2023-2028年國內(nèi)閃存卡行業(yè)發(fā)展趨勢及發(fā)展策略研究報告》。同時本報告還包含大量的數(shù)據(jù)、深入分析、專業(yè)方法和價值洞察，可以幫助您更好地了解行業(yè)的趨勢、風險和機遇。

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