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第三代半導(dǎo)體行業(yè)研究分析由中研普華第三代半導(dǎo)體行業(yè)分析專家領(lǐng)銜撰寫，主要分析了第三代半導(dǎo)體行業(yè)的市場規(guī)模、發(fā)展現(xiàn)狀與投資前景，同時對第三代半導(dǎo)體行業(yè)的未來發(fā)展做出科學的趨勢預(yù)測和專業(yè)的第三代半導(dǎo)體行業(yè)數(shù)據(jù)分析，幫助客戶評估第三代半導(dǎo)體行業(yè)投資價值。
第三代半導(dǎo)體材料具有寬的禁帶寬度，高的擊穿電場、高的熱導(dǎo)率、高的電子飽和速率及更高的抗輻射能力，因而更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率器件，通常又被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料（禁帶寬度大于2.2ev），也稱為高溫半導(dǎo)體材料。第三代半導(dǎo)體材料主要以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（......
2024年5月30日
一、氮化鎵應(yīng)用場景氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料，有更高的禁帶寬度，是迄今理論上電光、光電轉(zhuǎn)換效率最高的材料體系，下游應(yīng)用包括微波射頻器件(通信基站等)，電力電子器件(電源等)，光電器件(LED照明、激光等L......
2024年5月30日
一、氮化鎵應(yīng)用場景氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料，有更高的禁帶寬度，是迄今理論上電光、光電轉(zhuǎn)換效率最高的材料體系，下游應(yīng)用包括微波射頻器件(通信基站等)，電力電子器件(電源等)，光電器件(LED照明、激光等L......
2024年5月30日
一、碳化硅功率器件應(yīng)用場景廣泛碳化硅功率器件性能優(yōu)異，應(yīng)用場景廣泛。功率器件用于實現(xiàn)對電能的處理、轉(zhuǎn)換和控制?，F(xiàn)有的功率器件大多基于硅材料，其能效和性能已逐漸接近極限。相比之下，碳化硅功率器件能有效滿......
2024年2月29日
碳化硅舟托行業(yè)是隨著光伏行業(yè)的快速發(fā)展而興起的。光伏行業(yè)對碳化硅舟托的需求不斷增加，主要得益于碳化硅舟托的優(yōu)越性能，如高強度、高耐磨性、高耐腐蝕性以及長壽命等。此外，碳化硅舟托的替代效應(yīng)也在推動行業(yè)的......
2023年12月19日
三代功率半導(dǎo)體無疑是半導(dǎo)體領(lǐng)域的“后起之秀”，廣泛應(yīng)用于包括通訊、新能源汽車、光伏/風力發(fā)電、軌交、工業(yè)、照明等新興和傳統(tǒng)的電能變換領(lǐng)域。長飛光纖擬建第三代半導(dǎo)體項目長飛光纖建設(shè)第三代半導(dǎo)體功率器件生......
2023年11月2日
第三代半導(dǎo)體行業(yè)前景及現(xiàn)狀如何?多年來面向第三代半導(dǎo)體功率器件開發(fā)完成的高密度成品制造解決方案進入產(chǎn)能擴充階段，預(yù)計2024年起相關(guān)產(chǎn)品營收規(guī)模翻番，將有利促進第三代半導(dǎo)體器件在全球應(yīng)用市場的快速上量。第5......
2023年10月13日
功率半導(dǎo)體正從傳統(tǒng)硅基功率器件IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)、MOSFET(金氧半場效晶體管)，走向以SiC(碳化硅)和GaN(氮化鎵)為代表的時代。第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)步入快速增長期以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體......
2023年10月2日
第三代半導(dǎo)體市場未來發(fā)展態(tài)勢如何？第三代半導(dǎo)體材料具有較好的電子密度和運動控制能力，更適用于制造高溫、高頻、抗輻射和大功率電子器件，在光電子和微電子領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價值。目前，市場熱點5G基站、新能源......
2023年9月28日
三代功率半導(dǎo)體無疑是半導(dǎo)體領(lǐng)域的“后起之秀”，廣泛應(yīng)用于包括通訊、新能源汽車、光伏/風力發(fā)電、軌交、工業(yè)、照明等新興和傳統(tǒng)的電能變換領(lǐng)域。長飛光纖擬建第三代半導(dǎo)體項目長飛光纖建設(shè)第三代半導(dǎo)體功率器件生......
2023年7月17日
南京打造第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地據(jù)南京發(fā)布，7月19日至21日，2023世界半導(dǎo)體大會將在南京舉辦大會以“芯紐帶，新未來”為主題聚焦行業(yè)新市場、新產(chǎn)品、新技術(shù)積極探討未來發(fā)展方向與機遇促進全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展5......
