氮化鎵是什么材料?適用于那些行業(yè)領(lǐng)域

• 2018年11月19日 WuZhiCong來源：互聯(lián)網(wǎng) 547 30
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  中國經(jīng)濟(jì)基本面穩(wěn)定，但動力和質(zhì)量較為不足，氮化鎵(GaN) 行業(yè)發(fā)展如何受限？

  氮化物半導(dǎo)體材料，也稱為氮化鎵（GaN）基材料，是繼硅（Si）、砷化鎵（GaAs）之后的第3代半導(dǎo)體材料，包含了GaN、氮化鋁（AlN）和氮化銦（InN）及它們的合金（禁帶寬度范圍為0.7-6.2eV），是直...

氮化物半導(dǎo)體材料，也稱為氮化鎵(GaN)基材料，是繼硅(Si)、砷化鎵(GaAs)之后的第3代半導(dǎo)體材料，包含了GaN、氮化鋁(AlN)和氮化銦(InN)及它們的合金(禁帶寬度范圍為0.7-6.2eV)，是直接帶隙半導(dǎo)體，是制作從紫外到可見光波段半導(dǎo)體激光器的理想材料。半導(dǎo)體激光器具有體積小、效率高、壽命長和響應(yīng)速度快等優(yōu)點(diǎn)，在信息科技等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用，是光電子產(chǎn)業(yè)的龍頭產(chǎn)品。氮化鎵激光器在激光顯示、激光照明、水下通信、生物醫(yī)學(xué)等民用及軍用領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用。

據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會支撐業(yè)分會的測算，2016年我國半導(dǎo)體材料市場規(guī)模為647億元，比2015年的591億元增長9.5%。自2011年以來，我國半導(dǎo)體材料的市場規(guī)模及增長率如下圖所示。在2016年我國半導(dǎo)體材料市場中，集成電路晶圓制造材料的市場規(guī)模為330.28億元，同比增長4.2%;集成電路封裝材料的市場規(guī)模為318.0億元，同比增長16.1%。根據(jù)中研普華產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)顯示，2017年半導(dǎo)體材料市場規(guī)模達(dá)到711.6億元，同比增長9.83%。

GaN最初是為支持政府軍事和太空項(xiàng)目而開發(fā)，但已得到商業(yè)市場的完全認(rèn)可和應(yīng)用，在無線基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域的應(yīng)用已超越國防應(yīng)用，市場占比超過GaN市場總量的一半以上。隨著對數(shù)據(jù)傳輸及更高工作頻率和帶寬需求的增長，2016-2022年無線基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域的CAGR將達(dá)到16%。在未來的網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)中，如載波聚合和大規(guī)模MIMO等新技術(shù)的發(fā)展應(yīng)用，將使GaN比現(xiàn)有橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)更具優(yōu)勢。但與此同時(shí)，國防領(lǐng)域仍將是GaN不可忽視的重要應(yīng)用市場，并保持穩(wěn)定增長。GaN在國防領(lǐng)域的應(yīng)用主要包括IED干擾器、軍事通訊、雷達(dá)、電子對抗等。

2017-2018年，在無線基礎(chǔ)設(shè)施及國防應(yīng)用市場需求增長的推動下，GaN市場會進(jìn)一步放大，但增速會較2015年有所放緩。2019-2020年，5G網(wǎng)絡(luò)的實(shí)施將接棒推動氮化鎵市場增長。預(yù)計(jì)到未來10年，氮化鎵市場將有望超過30億美元。

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