2022中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域與投資前景分析

• 2022年8月5日 HuangJiang來(lái)源：新浪 1231 80
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當(dāng)前，國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展得如火如荼，在現(xiàn)代工業(yè)、通信等領(lǐng)域都有巨大的應(yīng)用前景。蘇州、長(zhǎng)沙、合肥、南昌等地都在布局半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園，希望提高在全球的競(jìng)爭(zhēng)力。

第三代半導(dǎo)體技術(shù)加速進(jìn)步。第三代半導(dǎo)體正是以碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體為主，更適合制造耐高溫、高壓、打點(diǎn)零的高頻率大功率器件。諸多市場(chǎng)熱門(mén)題材，包括 5G 基站、新能源汽車(chē)等都是第三代半導(dǎo)體的重要應(yīng)用領(lǐng)域。

2022中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域與投資前景分析

全球范圍內(nèi)，美國(guó)、歐洲、日本、中國(guó)在第三代半導(dǎo)體發(fā)展上處于“四足鼎立”狀態(tài)。當(dāng)前，國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展得如火如荼，在現(xiàn)代工業(yè)、通信等領(lǐng)域都有巨大的應(yīng)用前景。蘇州、長(zhǎng)沙、合肥、南昌等地都在布局半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園，希望提高在全球的競(jìng)爭(zhēng)力。

2021年，我國(guó)發(fā)展第三代半導(dǎo)體也被寫(xiě)入 " 十四五 " 規(guī)劃。規(guī)劃要求，要加強(qiáng)原創(chuàng)性引領(lǐng)性科技攻關(guān)。其中，在集成電路層面，包括集成電路設(shè)計(jì)工具、重點(diǎn)裝備和高純靶材等關(guān)鍵材料研發(fā)，集成電路先進(jìn)工藝和絕緣柵雙極型晶體管 ( IGBT ) 、微機(jī)電系統(tǒng) ( MEMS ) 等特色工藝突破，先進(jìn)存儲(chǔ)技術(shù)升級(jí)，碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體發(fā)展。

根據(jù)中研普華研究院《2020-2025年中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析與投資前景預(yù)測(cè)研究報(bào)告》顯示：

美日歐為了搶占第三代半導(dǎo)體技術(shù)的戰(zhàn)略制高點(diǎn)，從2000年就開(kāi)始通過(guò)國(guó)家級(jí)創(chuàng)新中心、聯(lián)合研發(fā)等形式，實(shí)現(xiàn)了第三代半導(dǎo)體技術(shù)的加速進(jìn)步。第三代半導(dǎo)體的市場(chǎng)需求也持續(xù)攀升，在全球范圍掀起投資熱潮。

以全球第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的龍頭企業(yè)為例，美國(guó)Cr ee繼續(xù)深化在SiC晶圓和射頻器件領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)，2019年投資10億美元用來(lái)擴(kuò)大SiC產(chǎn)能，包括整合一座8英寸晶圓廠和一座SiC材料工廠，并收購(gòu)英飛凌射頻功率事業(yè)部。英飛凌出售射頻功率業(yè)務(wù)后，專(zhuān)注在汽車(chē)和功率半導(dǎo)體市場(chǎng)，2018年收購(gòu)SiC企業(yè)Sil? t ectr a，2019年以90億歐元并購(gòu)賽普拉斯半導(dǎo)體，通過(guò)合并，英飛凌將成為第一大汽車(chē)芯片供應(yīng)商。

2020年意法半導(dǎo)體與臺(tái)積電達(dá)成合作，加速氮化鎵制程技術(shù)開(kāi)發(fā)，將分立式與集成式氮化鎵元件導(dǎo)入市場(chǎng)。2021年，美國(guó)雷神公司與世界第三大晶圓代工廠格芯簽約，合作開(kāi)發(fā)新型硅基氮化鎵半導(dǎo)體，為5G和6G移動(dòng)和無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施帶來(lái)更先進(jìn)的射頻性能。

中國(guó)SiC、GaN電力電子器件主要應(yīng)用于新能源汽車(chē)、消費(fèi)類(lèi)電源和工商業(yè)電源應(yīng)用。在消費(fèi)電子方面，GaN快充電源作為新應(yīng)用帶來(lái)較大的市場(chǎng)，小米、OPPO、華為等手機(jī)廠商相繼推出GaN快充。在新能源汽車(chē)方面，比亞迪、吉利、一汽集團(tuán)、江淮汽車(chē)、長(zhǎng)城汽車(chē)等車(chē)企都在新能源汽車(chē)中采用SiC。SiC電力電子器件正加速進(jìn)軍軌道交通領(lǐng)域。GaN射頻器件主要應(yīng)用在軍工雷達(dá)和5G基站，華為、諾基亞、中興的多數(shù)5G基站已采用GaN的PA器件。

我國(guó)第三代半導(dǎo)體整體產(chǎn)值超7100億元，2023年第三代半導(dǎo)體材料滲透率有望接近5%。從滲透率角度來(lái)看，Yole數(shù)據(jù)顯示，Si仍是半導(dǎo)體材料主流，占比95%。隨著第三代半導(dǎo)體滲透率逐年上升，SiC的滲透率在2023年有望達(dá)到3.75%，GaN滲透率在2023年達(dá)到1.0%，第三代半導(dǎo)體滲透率總計(jì)4.75%。

《2020-2025年中國(guó)第三代半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析與投資前景預(yù)測(cè)研究報(bào)告》由中研普華研究院撰寫(xiě)，本報(bào)告對(duì)該行業(yè)的供需狀況、發(fā)展現(xiàn)狀、行業(yè)發(fā)展變化等進(jìn)行了分析，重點(diǎn)分析了行業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀、如何面對(duì)行業(yè)的發(fā)展挑戰(zhàn)、行業(yè)的發(fā)展建議、行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力，以及行業(yè)的投資分析和趨勢(shì)預(yù)測(cè)等等。報(bào)告還綜合了行業(yè)的整體發(fā)展動(dòng)態(tài)，對(duì)行業(yè)在產(chǎn)品方面提供了參考建議和具體解決辦法。

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