國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體迎發(fā)展機(jī)遇 功率半導(dǎo)體行業(yè)供需預(yù)測(cè)2023

• 劉明月 2023年7月19日 來(lái)源：百度百科 中研網(wǎng) 524 28
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據(jù)了解，士蘭微、華潤(rùn)微、揚(yáng)杰科技、聞泰科技、斯達(dá)半導(dǎo)、捷捷微電、新潔能等A股功率半導(dǎo)體頭部企業(yè)，過(guò)去五到十年迎來(lái)了高速發(fā)展期。功率器件多樣化應(yīng)用決定了市場(chǎng)集中度不高，全球第一大廠商市占率不到20%。由于功率半導(dǎo)體生命周期迭代慢的特有屬性，使得國(guó)產(chǎn)廠商更

國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體迎發(fā)展機(jī)遇

據(jù)了解，士蘭微、華潤(rùn)微、揚(yáng)杰科技、聞泰科技、斯達(dá)半導(dǎo)、捷捷微電、新潔能等A股功率半導(dǎo)體頭部企業(yè)，過(guò)去五到十年迎來(lái)了高速發(fā)展期。功率器件多樣化應(yīng)用決定了市場(chǎng)集中度不高，全球第一大廠商市占率不到20%。由于功率半導(dǎo)體生命周期迭代慢的特有屬性，使得國(guó)產(chǎn)廠商更有機(jī)會(huì)追上歐美大廠。

近日，國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期股份有限公司(下稱(chēng)“大基金二期”)再次向士蘭微拋出橄欖枝，其與士蘭微共同向成都士蘭半導(dǎo)體制造有限公司增資近16億元，為進(jìn)一步推動(dòng)汽車(chē)級(jí)功率模塊項(xiàng)目建設(shè)。

一定要加快產(chǎn)能的建設(shè)，讓碳化硅器件的產(chǎn)能跟上新能源市場(chǎng)的需求;二是加快主驅(qū)芯片可靠性驗(yàn)證工作，目前碳化硅最大的應(yīng)用場(chǎng)景就是新能源汽車(chē)的電驅(qū)部分，而電驅(qū)對(duì)芯片的可靠性要求極高，一般對(duì)芯片的驗(yàn)證周期在一年半以上，因此必須抓住時(shí)間窗口，盡快通過(guò)可靠性驗(yàn)證工作;三就是加快第三代半導(dǎo)體人才的培養(yǎng)，以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體是一個(gè)非常新興的行業(yè)，國(guó)內(nèi)外相關(guān)人才都非常稀缺，必須加快自身人才的培養(yǎng)，這也是行業(yè)可持續(xù)發(fā)展的關(guān)鍵。

中研普華產(chǎn)業(yè)院研究出版的《2022-2027年中國(guó)功率半導(dǎo)體行業(yè)供需預(yù)測(cè)及投資潛力研究報(bào)告》顯示

功率半導(dǎo)體行業(yè)供需預(yù)測(cè)2023

中國(guó)工信部發(fā)布了《基礎(chǔ)電子元器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展行動(dòng)計(jì)劃(2021-2023年)》，支持國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展，提出到2023年，電子元器件銷(xiāo)售總額達(dá)到21000億元，形成一批具有國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)的電子元器件企業(yè)，力爭(zhēng)15家企業(yè)營(yíng)收規(guī)模突破100億元。

功率電子模塊的集成度半導(dǎo)體模塊之間的差異，不僅僅體現(xiàn)在連接技術(shù)方面。另一個(gè)差別因素是附加有源和無(wú)源器件的集成度。根據(jù)集成度不同，可分為以下幾類(lèi)：標(biāo)準(zhǔn)模塊，智能功率模塊(ipm)，(集成)子系統(tǒng)。通常，小規(guī)模的ipm的特點(diǎn)在于其引線框架技術(shù)。穿孔銅板用作功率開(kāi)關(guān)和驅(qū)動(dòng)ic的載體。通過(guò)一層薄薄的塑料或絕緣金屬板進(jìn)行散熱。

用于中高功率應(yīng)用的ipm模塊的設(shè)計(jì)特點(diǎn)是將模塊分為兩個(gè)層次。功率半導(dǎo)體在底部，驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)電路在上部。本領(lǐng)域內(nèi)名氣最大的ipm是賽米控的skiip?，已面市超過(guò)了10年。這種無(wú)底板ipm系列產(chǎn)品的最大額定電流是2400a，包括一個(gè)驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能，加上電流傳感器、電氣隔離和電源。這些模塊裝在風(fēng)冷或水冷冷卻器上，并在供貨前進(jìn)行全面的測(cè)試。

國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體已在眾多領(lǐng)域應(yīng)用，特別是低端產(chǎn)品，如二極管、三極管、晶閘管、低壓MOSFET(非車(chē)規(guī))等，已初現(xiàn)“規(guī)?；?yīng)、國(guó)產(chǎn)化率相對(duì)較高”等特點(diǎn)。在中高端領(lǐng)域，如SJMOSFET、IGBT、碳化硅等，特別是車(chē)規(guī)產(chǎn)品，由于起步晚、工藝相對(duì)復(fù)雜以及缺乏車(chē)規(guī)驗(yàn)證機(jī)會(huì)等問(wèn)題，國(guó)內(nèi)廠家依然在追隨海外廠家技術(shù)發(fā)展路線。但近年來(lái)，市場(chǎng)逐漸從依賴(lài)進(jìn)口向國(guó)內(nèi)自給自足轉(zhuǎn)變，國(guó)產(chǎn)替代潛力大。

國(guó)家和地方政策支持，加速?lài)?guó)產(chǎn)替代進(jìn)程。受益于國(guó)家和地方政府的鼓勵(lì)政策，國(guó)內(nèi)電動(dòng)汽車(chē)與充電樁、光伏與儲(chǔ)能等領(lǐng)域需求增長(zhǎng)，功率半導(dǎo)體競(jìng)爭(zhēng)格局有望被重塑——國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程有望加速。

功率半導(dǎo)體應(yīng)用前景廣闊，幾乎涵蓋了所有電子產(chǎn)業(yè)鏈。以MOSFET、IGBT以及SiCMOSFET為代表的功率器件需求旺盛。根據(jù)性能不同，廣泛應(yīng)用于汽車(chē)、充電樁、光伏發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、消費(fèi)電子、軌道交通、工業(yè)電機(jī)、儲(chǔ)能、航空航天和軍工等眾多領(lǐng)域。

數(shù)據(jù)顯示，行業(yè)前三名企業(yè)的市場(chǎng)份額合計(jì)達(dá)51%。其中英飛凌占比最多，達(dá)27%;三菱排名第二，占比14%;安森美占比10%，位居第三。本土企業(yè)中，士蘭微在全球IGBT單管及IPM市占率達(dá)到3.5%、2.2%，均位列全球第八;斯達(dá)半導(dǎo)在全球IGBT模塊市占率達(dá)3.0%，位列全球第六。

功率半導(dǎo)體的應(yīng)用十分廣闊，近年來(lái)數(shù)字經(jīng)濟(jì)、人工智能、光伏能源、新能源汽車(chē)等產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，均為功率半導(dǎo)體帶來(lái)了新的需求增長(zhǎng)點(diǎn)，其市場(chǎng)規(guī)模不斷增長(zhǎng)。全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為452億美元，預(yù)計(jì)2023年將超過(guò)500億美元。

半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模位居全球第一，占比達(dá)40%。

功率半導(dǎo)體領(lǐng)域中功率芯片占比超過(guò)50%，是功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的主要細(xì)分產(chǎn)品，其次為功率半導(dǎo)體分立器件，全球功率芯片和功率半導(dǎo)體分立器件產(chǎn)品占比分別為55.78%和32.03%。

數(shù)據(jù)顯示，功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將顯著受惠于電動(dòng)車(chē)與新能源發(fā)電等趨勢(shì)，從2021年204億美元以復(fù)合年均成長(zhǎng)率(CAGR) 6.9%的速度，功率半導(dǎo)體成長(zhǎng)至2027年306億美元。其中，隨著工業(yè)自動(dòng)化、不斷電系統(tǒng)、高壓直流電網(wǎng)及儲(chǔ)能系統(tǒng)等應(yīng)用蓬勃發(fā)展，促進(jìn)功率半導(dǎo)體需求增長(zhǎng)。

近年來(lái)，國(guó)家陸續(xù)出臺(tái)政策鼓勵(lì)碳化硅行業(yè)發(fā)展與創(chuàng)新，疊加碳化硅襯底向大尺寸演進(jìn)，有效提升材料使用率，以及晶棒、襯底良率持續(xù)提升，未來(lái)碳化硅器件的生產(chǎn)成本有望持續(xù)下降，預(yù)計(jì)在高電壓場(chǎng)景中將先具備替代優(yōu)勢(shì)。隨著國(guó)內(nèi)企業(yè)產(chǎn)品得到驗(yàn)證進(jìn)程加速，下游廠商認(rèn)可程度不斷提升，海外企業(yè)與國(guó)內(nèi)企業(yè)差距相對(duì)縮小，國(guó)產(chǎn)市場(chǎng)具備廣闊的市場(chǎng)空間。

2023年中國(guó)大陸地區(qū)IGBT市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)達(dá)到290.8億元，同比增長(zhǎng)11.6%。據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體器件行業(yè)現(xiàn)狀深度分析與未來(lái)投資預(yù)測(cè)報(bào)告數(shù)據(jù)，2023年中國(guó)大陸地區(qū)MOSFET市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到396.2億元(56.6億美元，人民幣兌美元匯率按照7計(jì)算)，同比增長(zhǎng)4.8%。

預(yù)計(jì)到2025年，GaN 功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)?？蛇_(dá)到 13.2 億美元。此外集邦咨詢(xún)強(qiáng)調(diào)，第三代功率半導(dǎo)體基板相較于傳統(tǒng)硅基板的制造難度和成本也都更高。當(dāng)前，國(guó)家政策大力扶持為中國(guó)功率半導(dǎo)體行業(yè)創(chuàng)造良好的發(fā)展環(huán)境，同時(shí)下游市場(chǎng)景氣程度較高，為功率半導(dǎo)體功率的需求提供了有力支撐，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重心轉(zhuǎn)移及第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展帶來(lái)國(guó)產(chǎn)替代巨大機(jī)遇。

更多功率半導(dǎo)體行業(yè)的市場(chǎng)數(shù)據(jù)及未來(lái)行業(yè)投資前景，可以點(diǎn)擊查看中研普華產(chǎn)業(yè)院研究出版的《2022-2027年中國(guó)功率半導(dǎo)體行業(yè)供需預(yù)測(cè)及投資潛力研究報(bào)告》，

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  2023年版平跟鞋產(chǎn)業(yè)規(guī)劃專(zhuān)項(xiàng)研究報(bào)告

  產(chǎn)業(yè)規(guī)劃一般包括產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀、產(chǎn)業(yè)特征分析、產(chǎn)業(yè)發(fā)展目標(biāo)和發(fā)展定位、產(chǎn)業(yè)發(fā)展重點(diǎn)方向、產(chǎn)業(yè)空間引導(dǎo)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策等。隨著中國(guó)對(duì)外開(kāi)放程度的深化，經(jīng)濟(jì)全球化和區(qū)域化對(duì)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的影響顯...

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