IGBT有什么用處IGBT市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到123.65億元

• 2018年12月7日 WuZhiCong來源：互聯(lián)網(wǎng) 971 61
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  中國(guó)經(jīng)濟(jì)基本面穩(wěn)定，但動(dòng)力和質(zhì)量較為不足，IGBT行業(yè)發(fā)展如何受限？

  從20世紀(jì)80年代至今，IGBT芯片經(jīng)歷了6代升級(jí)，從平面穿通型到溝槽型電場(chǎng)到截止型，芯片面積、工藝線寬、通態(tài)飽和壓降、關(guān)斷時(shí)間、功率損耗等各項(xiàng)指標(biāo)經(jīng)歷了不斷的優(yōu)化，斷態(tài)電壓也從600V提高到6...

IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)近幾年中國(guó)IGBT產(chǎn)業(yè)在國(guó)家政策推動(dòng)及市場(chǎng)牽引下得到迅速發(fā)展，已形成了IDM模式和代工模式的IGBT完整產(chǎn)業(yè)鏈，IGBT國(guó)產(chǎn)化的進(jìn)程加快，有望擺脫進(jìn)口依賴。

2018年初，中車時(shí)代電氣公司研制的4500V/3000A壓接式IGBT順利通過評(píng)審，標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)大容量壓接式IGBT從技術(shù)驗(yàn)證轉(zhuǎn)入工程應(yīng)用階段。

IGBT器件應(yīng)用范圍愈發(fā)廣泛，涉及領(lǐng)域幾乎涵蓋社會(huì)的各個(gè)方面。中國(guó)IGBT器件市場(chǎng)需求增長(zhǎng)空間巨大。2017年中國(guó)IGBT市場(chǎng)規(guī)模為123.65億元。預(yù)計(jì)2023年行業(yè)整體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到超過330億元。

IGBT模塊封裝是將多個(gè)IGBT集成封裝在一起，以提高IGBT模塊的使用壽命和可靠性，體積更小、效率更高、可靠性更高是市場(chǎng)對(duì)IGBT模塊的需求趨勢(shì)，這就有待于IGBT模塊封裝技術(shù)的開發(fā)和運(yùn)用。

國(guó)內(nèi)IGBT在設(shè)備、材料、芯片設(shè)計(jì)和晶圓制造上與國(guó)際大廠仍有一定的差距，國(guó)產(chǎn)IGBT芯片的主要工藝設(shè)備、襯底片都還要從國(guó)外采購，特別是在大功率模塊封裝方面，在產(chǎn)品的功率密度、散熱性能、長(zhǎng)期可靠性以及模塊設(shè)計(jì)創(chuàng)新方面，技術(shù)差距仍然較大。不過，在后道封測(cè)環(huán)節(jié)，因國(guó)內(nèi)封測(cè)廠有給國(guó)際大廠代工的經(jīng)驗(yàn)，后道技術(shù)差距正逐漸縮小。受國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)扶持政策拉動(dòng)，預(yù)計(jì)2023年，行業(yè)規(guī)?；?qū)⑦_(dá)到4346億元。

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